- 公司名称:宁波海特创电控有限公司

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- 职位类别:半导体技术
- 招聘人数:2人
- 学历要求:不限
- 工作经验:不限
- 年龄要求:不限
- 性别要求:不限
- 工作地区:锦屏街道-非市区
- 截止时间:2022-09-04
- 联 系 人:袁小姐
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联系电话:
0574-8****查看完整号码
职位描述:
公司情况:
1、从事GaN功率器件设计研发企业,拥有GaN器件研发数十年经验数人、国家千人计划专家数人。
2、拥有完整批量通线的6寸晶圆线。
3、公司是浙江省科技型中小企业、入选宁波智团项目、奉化区“奉麓英才”人才项目、入选宁波市“3315”领军人才、入选宁波市2025科技创新专项。
岗位职责:
1、负责氮化镓功率器件的设计、开发与工艺;
2、设计器件结构并通过理论计算或计算机模拟对新结构进行可行性论证、针对产品技术指标要求,进行器件版图设计和绘制;
3、器件技术开发:针对下一代产品要求或项目需求,开发新型器件结构与工艺;能够熟练应用半导体物理知识,分析和解决器件技术问题;与工艺部协作制定工艺流程方案,并解决关键技术问题;提出新的技术思路和想法,撰写专利;
4、建立产品评价方案,制定并实施器件PCM测试和终测方案,开发产品评价的测试技术,充分挖掘器件物理问题。
5、器件工程师、工艺工程师储备:未来从事以上工作内容,要求GaN专业应届毕业生优先,或微电子专业应届毕业生。
岗位要求:
1、从事氮化镓半导体电子器件的研究和产品开发,有半导体企业生产线上开发制造经验者优先;
2、熟悉或了解半导体器件物理和固体物理,熟悉电力电子相关知识;
3、熟悉或了解光刻、刻蚀、蒸发等各单步工艺及其工艺流程的整合;
4、熟练或了解常用的半导体器件计算机模拟软件;
5、有一定的团队精神、交流能力和技术文档撰写能力与习惯,良好的英文读写能力,以及和外籍专家流利交流的听说能力。
6、GaN专业应届毕业生,或微电子专业应届毕业生具体面谈。

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